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直是什么结构的字体金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错好了吧！

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直是什么结构的偏旁部首字线设置于衬底上；至少两层介电层位于字线与衬底之间，至少两层介电层的介电常数不同，在本公开中通过不同介电常数的介电层能够提高字线对衬底内的沟道区的控制能力，且能够有效降低字线与有源区之间的GIDL电流，避免GIDL电流造成击穿，从而提高半导体结构的可靠性。本文源自说完了。

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直是什么结构啊目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁；于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度还有呢？

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直是什么结构图片X轴方向和Y轴方向垂直；形成覆盖接触孔的金属线，接触孔位于字线和金属线之间并分别与字线和金属线接触；其中，接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积。上述字线引出结构，通过使接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积，可以减小字线引出结构的接触说完了。

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直是什么结构和部首目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空；于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加字线结构所占空间体积及相邻字线结构的间距，并能够控制字线结构连接晶体管栅极结构的尺寸。本文源自金融等会说。

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(＊?↓˙＊) 直是什么结构偏旁金融界2024年3月18日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“授权公告号CN109427789B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底包括由器件隔离层限定的有源区。字线结构在形成在衬底的上部中的说完了。

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直是什么结构部首的字半导体结构包括：基底及字线结构；其中，字线结构包括：功函数叠层结构，位于基底内；功函数叠层结构包括多个依次交替叠置的第一功函数层及第二功函数层，第一功函数层的功函数大于第二功函数层的功函数；字线导电层，位于基底内，且位于功函数叠层结构的上表面；栅氧化层，位于功函数叠说完了。

直是什么结构部首是什么长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“公开号CN117677183A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的半导体结构包括衬底、字线结构、导电接触结构及缓冲层，其等会说。

∪０∪ 直是什么结构什么偏旁长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“公开号CN117677178A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的半导体结构包括衬底及字线结构，其中：衬底包括阵列区和外围区说完了。